Вернуться на «главную» страницу сайта .
Согласовать цену, уточнить наличие и условия поставки компонентов или связаться с менеджером. Перейдите в раздел .
142ЕН1Б микросхемы полупроводниковой
142ЕН1Б — интегральная микросхема (артикулярное наименование в соответствии с ГОСТ)
микросхемы интегральные используются в радио-электронной аппаратуре в большом круге применения с функциональным назначением в качестве стабилизатора напряжения с регулируемым выходом. Микросхемы выполнены в керамометалическом корпусе. Модель изделия наносится на металлической части корпуса. Номинальное значение нагрева при эксплуатации от минус 60 до плюс 125град С. Климатически исполнены УХЛ и микросхемы 2) согласована техусловиям бК0.3473.098 ТУ.
Ссылки на технические материалы
Схема расположения выводов
Общие рекомендации по применению
Крепление ИМС к печатной плате осуществляется методом распайки выводов корпуса. При этом радиатор также распаивается: металлической теплоотводящей шине, закрепленной на печатной плате, — в случае использования дополнительного теплоотвода, к печатной плате — без использования дополнительного теплоотвода. Формовка выводов ИМС не допускается.
Металлическая шина или печатная плата должна быть изолирована как от «+» и «—» входного и выходного напряжений, так и от заземления (общего вывода). Контакт корпуса ИМС с токопроводящими и заземленными элементами аппаратуры не допускается.
Допускается заземление (соединение с общим выводом) как «+», так и «—» выходного напряжения ИМС; при этом «+ » и «—» входного напряжения (аккумулятора выпрямителя, фильтра) должны быть изолированы от заземления (общего вывода).
Амплитуда переходного процесса при фронте импульса тока не более 1 мкс и
скачкообразном изменении тока от максимального значения до нуля (или наоборот)
не превышает 2% от выходного напряжения.
Основные расчетные соотношения (расчет режима):
максимальная нестабильность выходного напряжения:
из-за изменения входного напряжения
из-за изменения выходного тока
из-за изменения температуры окружающей среды
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Микросхемы представляют собой мощные стабилизаторы напряжения с регулируемым выходным напряжением положительной полярности от 3 до 30 В с защитой от перегрева и перегрузок по току. Корпус типа 4116.8-2. Масса не более 3 г. Назначение выводов: 2 — вход схемы защиты; 4 — вход сигнала обратной связи; 6 — выключатель; 8 — общий; 11, 17 — коррекция; 13 — выход; 15 — вход.
Допускается заземление как «+ » , так «—» выходного напряжения; при этом в случае заземления « + » выходного напряжения ИМС « + » и «—» входного напряжения (аккумулятора, выпрямителя, фильтра), а также корпус ИМС должны быть изолированы от заземления (общего вывода).
При выборе делителя выходного напряжения при всех условиях эксплуатации следует руководствоваться следующим:
минимальный ток делителя 1,5 мА±15%;
сопротивления резисторов R1 и R2 выбираются из условия
где Uос — напряжение обратной связи на выводе 4 ( U0с=2,6 В ± 10%).
Разрешается эксплуатация ИМС при Uвx,min=8,5 В; при этом KU ≤ 0,15%/В.
При всех условиях эксплуатации емкость конденсатора С1 на входе должна быть более 2,2 мкФ±20%, а расстояние от конденсатора до ИМС — не более 70 мм.
При наличии сглаживающего фильтра входного напряжения и отсутствия коммутирующих устройств между выходным конденсатором фильтра источника питания и ИМС, приводящих к нарастанию входного напряжения, а также длине соединительных проводников меньше 70 мм входной емкостью может служить выходная емкость фильтра (если она более 2,2 мкФ±10%). В этом случае гарантируется отсутствие генерации на входе с амплитудой более Uвx,max.
где К = 0,037 1/°С; Тк — температура корпуса, при которой необходимо срабатывание тепловой защиты.
При эксплуатации ИМС с внутренней защитой от перегрузок по току допускается:
не включать резистор R5 при Тк ≤ 100 °С и Uвх ≤ 20 В;
не включать резисторы R5 и R7 при Тк ≤ 100 °С и Uвх ≤ 15 В.
Ограничительный резистор токовой защиты определяется из выражения
где М = 1,25 В; N=0,5 Ом × Iпор — величины, определяемые параметрами ИМС;
Iпор ≤ 1,25 Iвых,max. На приведенных схемах включения R7 ≥ 5,4 кОм.
В схеме выключения ИМС внешним сигналом ограничительный резистор R6, кОм, определяется из выражения
где К1 = 0,1 1/кОм; К2 = 1 1/В; напряжение выключения 0,9 ≤ Uвыкл ≤ 45 В.
Потребляемый от источника выключения ток менее 3 мА.
В схеме включения ИМС с внешним транзистором Т для увеличения выходного
тока между выводами 8 и 13 допускается включать резистор R3, сопротивление
которого определяется параметрами транзистора.
Крепление микросхем осуществляется непосредственно к печатной плате или
через переходные элементы методом распайки выводов корпуса на печатную плату.
При этом радиатор закрепляется винтами к металлической теплоотводящей шине на печатной плате (в случае использования дополнительного теплоотвода) или непосредственно к печатной плате (без использования дополнительного теплоотвода).
Корпус микросхемы электрически соединен с выводом Uвх. При монтаже микросхемы необходимо обеспечивать изоляцию корпуса от заземленных и токопроводящих элементов аппаратуры, имеющих отличный oт Uвх потенциал.
Разрешается проводить монтаж микросхем в аппаратуре 2 раза, демонтаж 1 раз.
При всех условиях эксплуатации выходные емкости конденсаторов должны
быть не менее 2 мкФ.
При наличии сглаживающего фильтра входного напряжения (при отсутствии
коммутирующих устройств между выходным конденсатором фильтра источника
питания и микросхемой, приводящих к нарастанию входного напряжения) и длине соединительных проводников не свыше 70 мм входной емкостью может служить выходная емкость фильтра, если ее значение не менее 2 мкФ для керамических и не менее 10 мкФ для алюминиевых конденсаторов. В остальных случаях емкость входного конденсатора должна быть не менее 2 мкФ.
Расстояние от входного конденсатора до микросхемы должно быть не более 70 мм.
Для реализации выходных параметров микросхемы необходимо как можно ближе осуществлять контактирование с выходом микросхемы резистивного делителя обратной связи и выходного конденсатора, а микросхему рекомендуется устанавливать в непосредственной близости к нагрузке.
При использовании дополнительного радиатора рассеиваемая мощность не
должна превышать 8 Вт. При этом температура кристалла должна быть не более
130 °С. На вход микросхемы можно подавать напряжение до 40 В; при этом выходное напряжение может регулироваться в пределах до 37 В. Нижняя граница диапазона регулировки определяется падением напряжения на микросхеме, не превышающем предельно допустимого входного напряжения.
Микросхема имеет встроенную тепловую защиту и защиту от короткого замыкания. В случае короткого замыкания на выходе микросхемы входное напряжение не должно превышать предельно допустимого значения.
Минимальное падение напряжения на стабилизаторе при Т = +70 °С составляет 3 В.
Тепловое сопротивление переход — корпус микросхем не более 10 °С/Вт, переход — среда — не более 100 °С/Вт. Дрейф напряжения при Т = + 70°С не более 1 % (за 500 ч). На основной схеме включения стабилизатора резисторы R1 и R2 образуют регулируемый делитель выходного напряжения: R1 = 240 Ом ± 5 %; R2 = 6,8 кОм ± 20 %. Сопротивления резисторов делителя связаны соотношением
Uвых = Uвых,min(1 + R2/R1)
