Маркировка so dimm samsung

Этот простой способ позволит узнать, что за память вы получили, взглянув на маркировку её чипов. Особенно актуально при покупке перешитой памяти с алиэкспресс.

Почти вся память с али является перешитой, что, впрочем, не мешает ей нормально работать. Если вам принципиально нужны именно оригинальные модули — ищите их на ebay.

Типичная серверная память с али. Якобы родные 1866 Мгц

Расшифровка маркировки чипов памяти Samsung. Не самые свежие данные, но основную информацию мы получим.

Более свежий вариант таблицы (~2011 год)

Наиболее важен 11 пункт таблицы, именно он покажет, на какой частоте изначально работала память:

Стоит помнить также, что чипы производства самсунг достаточно хорошо гонятся. В большинстве случаев 1333 память спокойно берет 1866, а зачастую и 2133 Мгц.

Взглянем на чип и сверимся с таблицей. Оказывается это разогнанная 1333

Полезные материалы

Полные гайды по всем модулям памяти ddr3 от самсунга:

Для работы проектов iXBT.com нужны файлы cookie и сервисы аналитики.
Продолжая посещать сайты проектов вы соглашаетесь с нашей
Политикой в отношении файлов cookie

Оперативная память (ОЗУ) является одним из важнейших компонентов компьютера, который напрямую влияет на эффективность его работы. В данной публикации мы рассмотрим, какая бывает оперативная память и на какие основные характеристики ОЗУ стоит обратить внимание при выборе. А также рассмотрим, какие бывают типы оперативной памяти, что такое частота, и на что влияют тайминги, но обо всем по порядку ниже.

Основные параметры ОЗУ

На сегодняшний день существует два основных форм-фактора ОЗУ. Первый имеет маркировку DIMM – это более габаритная память в основном применяется в стационарных ПК. Второй стандарт называется SO-DIMM – это более компактная память, обычно она применяется в ноутбуках, в редких случаях в моделях ПК в компактном корпусе.

Стандарты оперативной памяти

На сегодняшний день в данном разделе следует упомянуть о двух последних стандартах. Это более старая память стандарта DDR 3 и, соответственно, более новый стандарт DDR 4. Конечно, если вы выбираете память на уже существующую платформу, то нужно исходить из поддерживаемых стандартов материнской платы. Но если вы находитесь на этапе выбора ПК, то конечно следует отдать предпочтение памяти DDR4, она обладает более высокими скоростными характеристиками, а также является более энергоэффективной, к примеру, по сравнению с DDR 3 она эффективнее на 20-30 процентов. Кстати, благодаря новым технологиям на одной планке DDR 4 могут разместиться чипы с общим объемом памяти до 128 ГБ (конечно в бытовом использовании таких планок не встретить). Что касается стандарта DDR 3, он в основном сейчас используется для увеличения производительного потенциала устаревающих ПК. DDR3 и DDR4 отличаются между собой размещением контактов.

Объем памяти и ОС

Ранее на компьютерах устанавливалась 32-разрядные операционные системы, которые неспособны распознать и использовать более 4 Гб оперативной памяти в независимости, сколько физически мы установим памяти в ПК. В современных 64-разрядных операционных системах есть возможность установить в разы больше памяти, к примеру, Windows 10 имеет поддержку до 512 Гб ОЗУ, что на практике в бытовых задачах еще не используется, и дает нам огромный своего рода потенциальный запас.

Объем памяти и материнская плата

Также не маловажным моментом при желании приобрести максимальный объем памяти для вашего ПК, является возможность совместимости с вашей материнской платой. Эти данные можно найти на самой материнской плате или в ее спецификации. Если спецификация утеряна ее электронный вариант можно найти в интернете. Еще одним способом узнать все характеристики вашего ПК и материнской платы в частности являются использование специальных утилитов, к примеру программы AIDA64.

Частота

Частота ОЗУ условно отображает, сколько происходит операций по пересылке данных за одну секунду. Соответственно чем выше частота, тем лучше. К примеру, максимальная частота на ОЗУ DDR 3 составляла 1866 MHz (в крайне редких отдельных случаях достигала 2133 MHz). А вот рабочая частота памяти DDR 4 составляет 2133–3200 MHz. Также при выборе следует помнить и учитывать какую частоту поддерживает ваш процессор и материнская плата. Если приобрести более скоростную память и установить на материнскую плату с поддержкой более низкой частоты, память не сможет реализовать свой потенциал, и автоматически будет работать с более низкой частотой. Поэтому при выборе обязательно обращайте внимание на этот момент, чтобы не переплатить деньги в пустую.

Пропускная способность

Пропускания способность ОЗУ, по сути, является комплексной характеристикой, которая рассчитывается как произведение объема данных, передаваемых за один такт, на частоту системной шины. Для наглядности ниже я добавил небольшую таблицу. К примеру, возьмем чип из таблицы DDR4-3200, он соответствует модулю PC4-25600. Таким образом, получается, что пропускная способность данной ОЗУ равна 25600. Чем выше пропускная способность, тем лучше.

Тайминги

В процессе работы ОЗУ, системе приходится выполнять своего рода подготовку к последующему обмену данными, как раз количество циклов для завершения этого процесса и характеризует показатель таймингов. Процесс подготовки данных делится на четыре этапа, задержка на каждом из которых и отображается в характеристиках таймингов. Углубляться в этих этапах я не буду, да и особого смысла в этом нет. Главное здесь нужно понимать, чем меньше тайминги, тем быстрее будет работать память. Стоит также добавить, что если вы приобретаете дополнительную планку памяти в ваш ПК, желательно подобрать аналогичные тайминги и частоту. Для примера, ниже на фото изображена планка ОЗУ с таймингами 9-9-9-24. Однако при выборе помните, что это далеко не самая главная характеристика и, на мой взгляд, не стоит сильно заострять на ней внимание.

Режимы подключения ОЗУ

Подключить ОЗУ к материнской плате можно одноканальным и многоканальным способами. Соответственно, чем больше каналов подключения, тем выше скорость работы ОЗУ, память как бы реализует весь свой потенциал. На данный момент в основном все используют двухканальный тип подключения. Для реализации этого режима нужно заведомо приобрести две одинаковые по характеристикам планки памяти, желательно от одного производителя, и подключить их в разные по цвету слоты. Если посмотреть на фото ниже, то первый слот будет осуществлять двухканальный режим с третьим, а второй слот соответственно с четвертым.

Охлаждение

Здесь мнения немного разделяются, некоторые считают, что чипы памяти рассчитаны на высокие температуры и если планки памяти изначально не комплектуются системами охлаждения, то они не требуются. Я считаю, что лишним охлаждение никогда не будет, и желательно сразу приобрести память со специальными алюминиевыми радиаторами для отвода лишнего тепла. При желании такие радиаторы можно приобрести отдельно. Также следует добавить, что радиаторы охлаждения могут быть оснащены декоративным освещением.

Какой объем памяти обычно используется в ПК

Сейчас еще можно встретить компьютеры с объемом оперативной памяти от 2 ГБ, но современные модели уже оснащены планками с общим объемом на 16 или 32 Гб.

Вывод

Подводя итог, скажу, что главное при выборе ОЗУ определится с задачами, которые вы будете выполнять на вашем компьютере. Исходя из этого, подбираем объем памяти, обращая внимание на частоту, пропускную способность и тайминги. Также нужно не забывать о совместимости вашей материнской палаты и ОЗУ. Ну, а на этом все, спасибо, что дочитали публикацию до конца. Больше интересных публикаций вы сможете найти в моем блоге на сайте.

Часть 9: Модули Samsung DDR2-667

Продолжается цикл статей, посвященный изучению важнейших характеристик модулей памяти DDR2 на низком уровне с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. В настоящей статье будут рассмотрены сразу два типа модулей памяти Samsung DDR2-667, представленных парами 256-МБ и 512-МБ образцов. Информация о производителе модулей

Производитель модулей и микросхем: Samsung Semiconductor Сайт производителя модулей и микросхем:www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/DDR2SDRAM/index.htmВнешний вид модулей

Фото модулей памяти

512-МБ модули

Фото микросхем памяти

Part Number модулей и микросхем

Part Number модулей

Система назначения Part Number модулей памяти Samsung DDR SDRAM: www.samsung.com/Products/Semiconductor/Support/Label_CodeInfo/ DDR_SDRAM_Module.pdf

256-МБ модули

Part Number микросхем

Система назначения Part Number микросхем памяти Samsung DDR2: www.samsung.com/Products/Semiconductor/Support/Label_CodeInfo/ DDR2_code.pdf

Микросхемы 256/512-МБ модулей

Расшифровки Part Number рассматриваемых модулей и микросхем (оба модуля комплектуются одними и теми же 32Мx8 микросхемами памяти) выглядят практически безупречно, каких-либо «нестыковок» между расшифровками номеров модулей и микросхем не наблюдается. Данные микросхемы SPD модуля

Описание общего стандарта SPD:

Описание специфического стандарта SPD для DDR2:

Содержимое SPD 256-МБ модулей

Данные микросхемы SPD 256-МБ и 512-МБ модулей выглядят практически идентично — единственное значимое различие наблюдается лишь в количестве банков, что полностью соответствует внешнему виду исследуемых образцов (256-МБ модули однобанковые, 512-МБ — двухбанковые, физический банк состоит из восьми микросхем 32М x8). Модули Samsung DDR2-667 способны функционировать при трех различных величинах задержки CAS#: 5, 4 и 3. Соответствующие этим случаям временные (частотные) режимы функционирования модулей — 3.0 нс (333 МГц), 3.75 нс (266 МГц) и 5.0 нс (200 МГц), а соответствующие схемы важнейших таймингов — 5-5-5-13 (значение последнего тайминга tRAS, надо заметить, несколько сокращено по сравнению со «стандартным» значением 15), 4-4-4-10 (при условии округления tRAS в меньшую сторону) и 3-3-3-8 (аналогично). Из «необычностей» следует отметить использование номера новейшей ревизии SPD модулей DDR2 1.2 (еще не представленной документально на сайте JEDEC). Всевозможные номера — Part Number, дата изготовления и серийный номер — полностью прописаны и соответствуют действительности, что говорит о пунктуальности производителя и создает образ высокого качества продукции. Конфигурации тестовых стендов и ПО

Тестовый стенд №1

Несмотря на отмеченную выше схему таймингов 4-4-4-10 для случая DDR2-533, полученную округлением значения tRAS в меньшую сторону, в первой серии тестов все материнские платы выставили по умолчанию (Memory Timings: «by SPD») схему 4-4-4-11. Как бы там ни было, выставленное в настройках чипсета значение последнего параметра рассматриваемыми модулями памяти, как и большинством других, игнорируется, в чем мы убедились в следующей серии тестов.

Тесты 256-МБ модулей

*частота FSB 266.7 МГц **размер блока 16 МБ

Тесты 512-МБ модулей

Интересно отметить, что двухбанковые 512-МБ модули по большинству параметров (в частности, средней ПСП на чтение и запись) показывают некоторое преимущество перед однобанковыми 256-МБ образцами. Ощутимое отставание системной платы Gigabyte 8ANXP-D (стенд №1) с чипсетом i925X по величинам средней ПСП на чтение по сравнению с другими платами на чипсетах семейства i925X/XE можно объяснить использованием более ранней версией BIOS, которая, по всей вероятности, не включает «режим производительности» (PAT) контроллера памяти. Платы MSI 925X Neo (стенд №2), ECS PF21 Extreme (стенд №3) и Gigabyte 8AENXP-D (стенд №4) при функционировании на штатной частоте FSB 200 МГц показывают примерно равный результат. При функционировании двух последних с частотой системной шины 266 МГц плата ECS PF21 Extreme (стенд №5) демонстрирует небольшое преимущество над Gigabyte 8AENXP-D (стенд №6).

Тесты стабильности

Значения таймингов, за исключением tCL, варьировались «на ходу» благодаря встроенной в тестовый пакет RMMA возможности динамического изменения поддерживаемых чипсетом настроек подсистемы памяти. Устойчивость функционирования подсистемы памяти определялась с помощью специально разработанной нами вспомогательной утилиты, которая вскоре выйдет в свет в виде отдельного приложения, поставляемого вместе с тестовым пакетом RMMA.

Минимальные значения таймингов, достижимые для обоих видов модулей в режиме DDR2-533 на большинстве материнских плат — 3-4-4, являются весьма умеренными, особенно если учесть, что исследуемые модули рассчитаны на режим DDR2-667. Кроме того, на материнской плате MSI 925X Neo (стенд №2) как 256-МБ, так и 512-МБ модули позволили выставить схему таймингов 3-3-4, что незамедлительно сказалось на снижении латентности случайного доступа примерно на 5 нс относительно значений, полученных на других материнских платах при прочих равных условиях (стенды №1, №3 и №4). Итоги

Протестированные образцы 256-МБ и 512-МБ модулей памяти Samsung DDR2-667 обладают хорошей совместимостью с использованными моделями материнских плат на чипсетах i925X и i925XE, хорошей производительностью (величины ПСП и латентностей типичны для высокопроизводительных модулей, функционирующих в режиме DDR2-533) и умеренным «разгонным потенциалом» по таймингам (функционируют при уменьшении величины tCL на единицу относительно номинала на всех системных платах, принявших участие в исследовании). Кроме того, нельзя не отметить тщательный и пунктуальный подход производителя к маркировкам модулей, микросхем и содержимому микросхемы SPD модулей, что создает образ высокого качества продукции.

Модули памяти Samsung DDR2-667 предоставлены компаниями MERLION и ZEON